amd处理器集成的内存控制器在进化到双核心时代表现出来的优势更加明显，低延时的内存控制器使得对cpu的缓存的依赖也大幅减少，在这样的情况下，在日后过渡到多核心的时候，需要考虑的问题更多的是基于各个核心之间的连接。我们可以看到，两个核心所采用的l2缓存也是分别独享的，也就是两个l2缓存中保存的数据是一致的。

　　实际的可利用容量和一个核心的l2缓存容量是相同的—这一点和intel一样。与intel有所不同的是，amd方案的两个核心之间的通信是通过处理器内部的crossbar实现的。相比之下intel的pentium d处理器的核心之间的通信则是需要通过芯片组的mch来进行—这显然比amd的方案要带来更多的延迟时间。不过amd的架构也并非十全十美，双核心处理器仍然只支持双通道ddr400内存无疑是一个有些令人遗憾的地方—两个处理器核心自然需要更大的内存带宽。要解决这个矛盾，只能使用全新的针脚设计，ddr2或许是一个不错的选择。

　　athlon 64 x2这样的设计还有一个好处，那就是如果打算支持新的双内核处理器的话，对旧平台而言唯一的要求就是升级到最新bios就ok了，这将大大降低平台的应用、升级成本。当然amd沿用以前的内存控制器也是有很大的好处的，那就是双核心的athlon 64 x2处理器可以在目前几乎所有的socket 939主板上使用。这方面amd有着intel无可比拟的优势—因为以前的915/925主板并不能支持intel的双核心处理器。

　　此外，与pentium d是通过降低频率来降低功耗不同，同样采用0.09微米生产技术的athlon 64 x2似乎并不需要面临这样的问题。这都得益于amd在athlon 64 x2处理器上所采用的“dual stress liner”应变硅技术。dual stress liner技术是由amd和ibm联合开发的，据称可以将半导体晶体管的响应速度提高24％。

　　事实上，dsl很类似于英特尔在90nm生产技术中引入的应变硅技术。我们都知道，晶体管越微细化，运行速度就越高，但同时也会引发泄漏电流增加、开关效率降低，从而导致耗电和发热量的增加。而dsl通过向晶体管的硅层施加应力，同时实现了速度的提高与耗电量的降低。

　　与intel使用的应变硅不同，来自amd和ibm的dsl能够被用于两种类型的晶体管：nmos和pmos(具有n和p通道)而无需使用极难获得的硅锗层，硅锗层会增加成本，并且有可能影响芯片的产量。 dsl这种双重性，让它比英特尔的应变硅更有效—dsl可以将晶体管的响应速度提升24%，而应变硅能提供的最大改进在15-20%。

　　并且更重要的是，amd和ibm 这项新技术对产量及生产成本并没有任何负面影响。由于在生产时无需使用新的生产方法，所以使用标准生产设备和材料便可迅速展开量产。另外，配合使用硅绝缘膜构造(soi，绝缘体上硅)与应变硅，还可生产性能更高、耗电更低的晶体管。amd工程师们表示，dsl和soi一起结合可以让athlon 64处理器的频率潜力有大约16％的增长。而athlon 64 x2的初始频率与目前athlon 64持平上也可以看到dsl技术的确很有效。

　　当然，amd也将在未来转移更先进的65nm生产线上，改进他们的内存控制器来对ddr2，ddr3和fb-dimm等高性能内存提供支持，也将开始使用更快的hypertransport 2.0总线，及更有效的节能降耗技术。